一、制造InN薄膜目前存在的难题
制备高品质的InN体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发InN材料应用的前提。但是，制造InN薄膜有两大困难。

一是InN材料的离解温度较低，在600 ℃左右就分解了，这就要求在低温生长下InN ,而作为氮源的NH3的分解温度较高，要求1000℃左右，这是InN生长的一对矛盾，因此采用一般的方法很难制备单晶体材料，目前制造InN薄膜最常用 的方法是MBE、HVPE、磁控溅射、MOCVD技术。