日前，韩国教育科学技术部表示，由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色LED的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。

此次开发的技术与原有的LED相比，不会低减电器的特征，依靠锌氧粉纳米杆的光导波路现象，增加30%以上的发光效率。光州科技院的郑建永教授表示：“此次研究结果从材料费或工程费侧面比较简单地将光导波管作用的锌氧粉(ZnO)杆在低温下，不会为LED电极构造带来影响的同时使之生长，是将发光效率跨越性提高的源泉技术，今后的研究等与纳米技术融合的话，2015年的1,100亿美金的利益效果与世界LED照明市场的先占将成为可能”。