日前，台积电董事长张忠谋透露将提高2012年资本支出，新金额将大于2011年的72.9亿美元（约新台币2,152亿元），调升幅度有望超过17.8%，极可能超越三星逻辑芯片系统部门（LSI）的73亿美元。这不仅是台积电的新高纪录，更凸显力抗三星的企图。

张忠谋出席于美国时间17日在旧金山展开的台积电年度技术论坛，他表示，“只要28奈米产能赶紧扩充，台积电最坏情况确定过去。”这项谈话引发法人圈对调高资本支出题材正面解读，昨（18）日台积电上涨1.2元新台币，收盘价重新站上85元新台币。

台积电今年原订资本支出60亿美元，与去年相比减少17.7%。但随着28奈米产能告紧，日前已确定会调高资本支出，实际金额将于26日公司法说会宣布。半导体业者认为，台积电因应28奈米需求，大幅拉高后的资本支出金额可能超越三星，与三星互别苗头的竞争意味浓厚。

值得注意的是，台积电竞争对手之一的三星LSI，因为看好行动装置带来的应用处理器需求，今年资本支出大增至73 亿美元，年增率高达75%，旗下美国德州Austin厂，月产能3万至4万片，几乎是替苹果处理器所预备，也是三星大幅扩充资本支出的主要需求。

台积电两年前就改变经营策略，以高资本支出、高研发拉开与竞争对手的距离。张忠谋此次赴美主持台积电美西技术论坛更强调，台积电今年提高资本支出是因为28奈米产能不够，绝非28奈米良率的考虑，目前28奈米良率都在控制中。

目前台积电是28奈米唯一量产的晶圆代工业者，高通、辉达、超威都是28奈米主力客户。为解决客户需求，台积电位于中科Fa15第一、二期已投产，第一季台积电12寸月产能约30.4万片，在公司全力扩产下，设备商估计，台积电三座超大晶圆厂预计到今年底可贡献40万片约当12吋晶圆月产能，领先对手三星三至四倍。