AIXTRON爱思强股份有限公司今日宣布，剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头®(CCS) MOCVD反应器的调试工作。 该套6x2英寸规格的CCS系统将配置为可处理一片6英寸（150mm）晶片，即1x6英寸规格。
 
“我们将利用AIXTRON爱思强的系统，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，不断推进我们在LED和电子设备方面的研发实践，”材料科学与冶金系研究中心主任Sir Colin Humphreys教授表示。 “目前我们已经有一套6x2英寸规格的CCS系统，但由于硅基氮化镓发展步伐日益加速，我们需要增置一套具备大直径晶片处理能力的系统。”

爱思强有限公司(AIXTRON Ltd.)董事总经理Tony Pearce表示： “AIXTRON爱思强与剑桥大学的合作关系由来已久，之前剑桥大学曾向我们订购一套反应器，此次获得剑桥大学增购另一套顶尖的CCS研究系统，让我们倍感自豪。 在Humphreys教授的领导下，剑桥大学研究小组已成功发展了一套世界领先的硅基氮化镓生产工艺，我们期待看到这套新系统为他们的研发工作再助一臂之力。”

AIXTRON 爱思强欧洲区副总裁Frank Schulte博士补充说： “我们非常高兴能再次获得剑桥大学研究小组的青睐，Colin Humphreys教授及其团队是硅基氮化镓技术领域的先驱，致力推动行业向前发展。 随着硅基材在电力电子和LED应用领域的不断深入，硅基氮化镓技术势将成为更多市场参与者的技术选择。”

英国剑桥大学氮化镓中心不仅拥有氮化物半导体生产能力，还是全球为数不多同时配备电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光(PL)和霍尔效应设备等多种先进表征设施的研究中心。 此外，该研发小组还拥有在氮化物半导体材料物理性质基本理论领域的专家。