昨（7）日晚间，乾照光电发布公告称，为充分发挥公司已有的技术优势、设备优势、工艺优势，提升产品结构，加快实现科技成果的转化，公司拟出资159,670.49万元建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目，其中银行贷款85,096.20万元，其余由公司以其他方式自筹出资，该项目由公司全资子公司厦门乾照半导体科技有限公司负责承办。

据公告显示，项目安排在2018年启动，2019年上半年开工建设，建设期预计22个月，2021年建成投产，2022年实现满产运行。项目投产后，预测达产后年销售收入96,628.29 万元，达产年利润总额23,690.91万元，达产年投资利润率17.71%，投资利税率18.63%，全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%；投资回收期6.01年。

乾照光电表示，砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产，技术含量高；在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛，而相关国内厂商稀缺，国家正大力支持该行业的迅速发展。乾照光电凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，通过本项目的建设，将有助于乾照光电在其他市场领域的突破，对公司的战略发展具有重要意义。

此外，本项目的实施，可以对地区的半导体发展有明显的推动作用。同时，该项目的建设对厦门打造半导体高端产业集群计划的实施具有重要意义。在环境保护方面，本项目利用原有环保体系，完全可以达到环保标准，不会对环境造成影响。

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