聚焦第三代半导体,河北加快6英寸SiC/GaN外延量产化进程
2021-05-20 08:47 [编辑: MiaHuang]

近日,石家庄市政府办公室印发《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的实施意见》,明确将实施集成电路基础材料优势提升等六大工程,做大做强专用集成电路、基础材料和嵌入式软件等数字经济核心产业,培育发展集成电路设计、制造、封装测试和工业软件设计等新兴产业。

据悉,石家庄市计划到2025年集成电路产业实现主营业务收入达到200亿元,培育集成电路上市企业3家以上,形成较为完备的集成电路产业链。同时,力争到2025年全市软件和信息服务业主营业务收入达到200亿元,打造国内具有影响力的软件和信息服务产业集群。

图片来源:拍信网正版图库

在集成电路基础材料优势提升工程中,石家庄将扩大氮化镓、砷化镓、碳化硅晶圆加工能力,加快6英寸碳化硅外延、氮化镓外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封装材料量产化进程。

实施专用集成电路设计与制造发展工程,计划提升微波集成电路、射频集成电路、超大规模SoC芯片、微机电系统器件、光电模块、第三代北斗导航高精度芯片、射频识别芯片等设计水平,推进芯片设计与制造一体化发展;实施5G通信基站用射频前端套片及模块重点项目,建设特色集成电路生产线,推动射频前端芯片、滤波器芯片等实现产业化。

2021年河北聚焦第三代半导体,许多企业加大第三代半导体的投入,多个项目迎来新进展。

天达晶阳碳化硅单晶体项目

3月,天达晶阳碳化硅单晶体项目正在进行无尘车间改造,预计4月底可投入生产。项目一期54台碳化硅单晶生长炉已全部到场,其中30台已安装到位。

项目总投资7.3亿元,分为两期建设。一期年产4英寸碳化硅晶片1.2万片,使用单晶生长炉54台;二期年产分别为4-8英寸碳化硅晶片10.8万片,增设相应生产能力的单晶生长炉及其配套的切、磨、抛和检测设备。

同光晶体碳化硅单晶衬底项目


日前,同光晶体碳化硅单晶衬底项目发布消息,其基础建设超计划实施,厂房建设完成封顶。

去年3月,同光晶体与河北保定涞源县政府签定了合作碳化硅单晶衬底项目(即河北同光科技发展有限公司)。项目总投资10亿元,搭建碳化硅单晶生长炉600台。预计今年8月项目一期投产,2022年4月满产运行。(来源:化合物半导体市场整理)

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