大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件项目立项
2022-12-2010:02:29[编辑: MiaHuang]

据太原日报报道,由山西省科技厅推荐、山西省第三代半导体产业链上企业牵头的国家“十四五”重点研发项目“大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术”近日获得立项。

据介绍,该项目研究内容涵盖深紫外LED先进外延技术、芯片制造技术、封装技术和可靠性评价,力求实现高性能大功率深紫外LED外延芯片量产,同时电光转化效率、光功率、寿命等主要性能指标突破国际瓶颈。

项目牵头单位中科潞安以自主创新技术立身,围绕第三代半导体氮化物深紫外光电材料,突破了一系列产业化关键技术。

资料显示,中科潞安成立于2018年4月,2019年5月正式投产,实现了深紫外LED芯片技术产业化与核心器件国产化,已成为集核心装备、核心材料、芯片制造、封装应用于一体的全产业链生态垂直整合型深紫外LED企业。

现阶段,中科潞安已基本形成紫外LED全产业链生态体系,可提供UVA/B/C全系列紫外LED芯片、灯珠产品、各类紫外LED封装模组以及防疫装备、医用消杀、便携消杀等多场景、多类型消杀产品。

大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件项目立项

图片来源:拍信网正版图库

值得一提的是,除上述项目外,今年4月,中科潞安牵头的“大功率深紫外LED模组项目”上榜2021-2022年度山西省重点研发计划。该项目致力于深紫外LED在公共场所的杀菌消毒应用研究,提高自研深紫外LED芯片光效与拓展深紫外LED在公共卫生领域应用需求。

此外,产品研发方面,今年6月,中科潞安在大功率芯片产品研发方面获得突破性进展,已成功研制出光功率输出在120mW以上的大功率芯片。产品可以实现稳定量产,主要应用于静态水模组、流动水杀菌等场景。

据悉,中科潞安45*45mil大功率LED芯片在注入电流350mA的条件下,输出光功率可达88.39mW,工作电压5.71V;在注入电流500mA的条件下,输出光功率可达122.82mW,工作电压5.90V;饱和电流可达1860mA。

中科潞安还加快推进检验检测中心的建设,并于今年7月正式投运,对外承接检测服务。检测中心配备了深紫外低温光谱检测系统等一系列实验仪器和装置,总价值4000余万元,将为客户提供专业、高效的分析、检测、测试等技术服务。

另值得一提的是,今年以来,疫情形势延宕反复,中科潞安深紫外LED产品落地多处,助力疫情防控,如UVC LED包裹消毒设备落户山西高校、紫外LED消杀产品进驻长治方舱医院控、UVC LED消杀产品助力冬奥会防疫和山西太原海关疫情防控等。(LEDinside Mia整理)

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