4月8日，苏州晶湛半导体有限公司（以下简称"晶湛半导体"）发布了其面向Micro LED显示产业应用的全彩系列外延片产品-Full Color GaN®，新品外延片尺寸成功拓展至300mm。

据晶湛半导体介绍，Full Color GaN®是硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片，具有更大的晶圆尺寸（200mm-300mm）和更好的表面质量，对提升LED芯片良率具有独特优势。此外，通过采用200mm/300mm FAB中先进的硅基芯片工艺制程，外延片可制备高性能的微型（5µm2）Micro LED像素阵列，并可与Si CMOS驱动进行高良率的混合集成。

通过采用应力工程和极化工程等专利技术，晶湛半导体的Full Color GaN®全彩系列产品成功克服外延生长高效率红光LED的难题。

晶湛半导体Full Color GaN®全彩系列产品

另外，晶湛半导体指出，波长均匀性是实现Micro LED显示的关键因素，而Full Color GaN®全彩系列产品在整个200mm晶圆上具有出色的波长均匀性（图 3），而且蓝光LED晶圆尺寸最大可以到300mm，并具有优异的波长均匀性，全片标准偏差小于2nm（图4）。

图3: 晶湛半导体200mm Full Color GaN®全彩系列LED外延片波长分布图

图4: 晶湛半导体300mm 硅基氮化镓蓝光LED外延片波长分布图

在缺陷密度方面，晶湛半导体则表示，Full Colar GaN®系列产品的表面缺陷密度可以控制在0.1/c㎡以内，即使像素尺寸微缩至2µm x 2µm（阵列：100 x 100），所有像素点依然都可点亮。

(像素尺寸: 50µm, 15µm, 5µm, 2µm)

图6: 基于Full Color GaN®全彩系列外延片开发的Micro-LED阵列

晶湛半导体创始人兼总裁程凯博士表示，对于Micro LED的单片集成而言，将RGB三种颜色集成到氮化镓的单一材料平台中是非常关键的一步。Full Color GaN®全彩系列外延片将初步满足业界对AR/MR系统的要求。300mm硅基氮化镓外延片将推动GaN光电器件、GaN电子器件与硅器件的异构集成的发展，具有广阔的应用前景。

资料显示，晶湛半导体成立于2012年3月，拥有先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。

除在应用于微显示的外延片取得研发进展外，2021年，在应用于功率器件的GaN外延片方面，晶湛半导体成功攻克12英寸(300mm)无裂纹 GaN-on-Si外延技术，成功覆盖200V、650V、1200V等不同击穿电压应用场景需求，厚度不均匀度减小至 0.3%，晶圆翘曲Bow<50μm，为GaN-on-Si外延片导入更加成熟精密的12英寸(300mm) CMOS 工艺线铺平了道路。

另值得注意的是，今年3月份，晶湛半导体宣布完成B+轮数亿元战略融资，由歌尔股份控股子公司歌尔微电子领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场等企业加码跟投。本轮融资资金将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设。（来源：晶湛半导体、LEDinside整理）

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