LED外延片（外延片）
LED芯片产生前的LED外延片磊晶生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法。

MOCVD
金属有机物化学气相淀（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、电脑多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化鎵）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极体芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。

LED芯片的生产过程
LED外延片（外延片）的生产制作过程比较复杂：
1.展完外延片后在每张外延片随意抽取九点做测试。符合要求的为良品，其他为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
2.良品的外延片要做电极（P极，N极）。接下来就用镭射切割外延片，然后100％分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，形成LED芯片（方片）。
3.最后还要进行目测，把有缺陷或者电极有磨损的分捡出来，这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合出货要求的芯片，这些就成了边片或毛片等。不良品的外延片，一般不用来做方片，就直接做电极（P极，N极），也不用做分检，这些就是目前市场上的LED大圆片。

外延片技术的成功需要具备以下三个条件：
1.对设备的精确掌握。MOVCD由于各项成本很高，保养週期以及配件的准备充分都很重要。
2.外延原理的掌握，材料的成长需要具备物理、材料学和分析技术三项基本功夫，能掌握这些，材料的生长就可具备一定的能力。
3.持之以恆的实验精神，外延结果需要恒心的等待，因为除了基本的分析外，结果的观察与纪录，做成LED芯片结果的分析，都需要耐心与恒心。