GaN基绿光LED效率提升16%!武大团队取得技术突破
2021-08-26 05:21 [编辑: Andygui]

据外媒报道,由武汉大学周圣军教授带领的研究团队在蓝宝石衬底上开发了高效GaN基绿光LED。研究团队建议采用由溅射AIN(Sputtered AlN)及中温GaN器件组成的混合成核层(Hybrid Nucleation Layer),以提高GaN基绿光LED的量子效率。

图片来源:武汉大学

目前,在完全可见光范围内开发高效III族氮化物发射器极具吸引力,而多种色彩III族氮化物发射器的融合可实现高效、精准的混合光谱管理,从而制造出高分辨率的显示器和各种智能照明应用,但目前主要的障碍是III族氮化物发射器在绿色到黄褐色光谱区域的效率不佳。

为此,武汉大学研究者采用新型混合成核层,在蓝宝石衬底上制造高效InGaN/GaN绿光LED。在生产过程中,混合成核层及GaN表面会生成一个层错带结构(Stacking Fault Structure),有助于实现热错配应力补偿(Misfit Stress Compensation)。

得益于最开始的热错配应力缓和,错位密度(Disloaction Density)和绿光LED中的残余应力(Residual Stress)有所降低。因此,在大规模量产过程中,研究团队将效率提升了约16%。

武汉大学研究团队表示,对于在绿色到黄褐色区域实现高效的III族氮化物发射器,混合成核层的应用前景十分可期。(LEDinside Janice编译)

转载请标注来源!更多LED资讯敬请关注官网或搜索微信公众账号(LEDinside)。

分享:
相关文章