2007年4月24日，日立电线株式会社（Hitachi Cable）确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底，对于LED产业将有正面助益。

日立电线公司表示，该衬底采用了「间隙形成剥离法(VAS:Void Assisted Separation)」技术。首先在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜，再在GaN薄膜上沉积氮化鈦膜，然后将其放在混合气体中加热，使GaN分解，此时GaN薄膜与金属膜的接触面产生了间隙，接着氢化物气相外延（HVPE）法在这层氮化鈦膜上生长更厚的GaN膜。

其中，产生的空隙层不仅降低了由晶格常数不同引起的应力效应，还降低了GaN厚膜的缺陷密度和翘曲效应的作用，晶体的质量也得到提高，并允许自支撑、大尺寸GaN芯片的直接剥离。工艺目前仍处于研究阶段，日立对其商业化的推广还尚待研究，对于4英吋的衬底，公司也表示尚无明确计划，还需针对客户需求做更深入的了解。