美国LED大厂Cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(ZMP) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵（GaN）与碳化硅（SiC）产品长期的效能表现有帮助。不过Cree认为，在2008年底之前，该项技术还不会进入全面商业化的阶段。

Cree材料事业副总裁Cengiz Balkas强调，儘管这项新的科技打造出的高品质材料是Cree公司策略重要的环节，但目前现有的4英吋SiC外延片就已经充分满足目前的应用。他认为，目前客户对现有产品效能的需求良好，倘若他们需要无微管(ZMP)产品，该公司就会开始进行生产。

他表示，n-type型态的材料是以SiC为基础产品的重要发展，预期初步应用将会是SiC-Schottky管的应用方面。

现阶段SiC是GaN 芯片生长时的衬底，但在生长时会含有结晶的微管，而使得外延片打造出的产品表现降低，并减少可用的外延片面积。

Cree先前能够提供3英吋的无微管(ZMP)外延片，但如果是生产4英吋的ZMP外延片，最终将进入量产阶段，使得外延片产出倍增。而为了维持晶体的品质，又要把微管消除，该公司尽了很大的心力。

目前美国陆军（US Army）与美国国防远景研究规划局（DARPA）协助发展了ZMP，Cree与美国军事单位的合作进一步发展出更好的产品，也为下一代的SiC衬底技术奠定基础。