LED芯片大厂美国Cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的LED技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色LED的开发状况，并展示了开发中的蓝色LED芯片的结构。   

在蓝色LED的光输出功率方面，Cree预测表示，输入电流为20mA的产品，最大输出功率07年7月将达36mW,08年7月将达40mW,09年7月将提高到44mW;输入电流为350mA的产品，最大光输出效率07年1月为340mW,预计08年1月可达420mW,09年1月将为500mW,09年10月达到550mW,并将一直提高下去。而与萤光材料组合而成的白色LED，目前量产产品的发光效率为80lm/W,开发产品已达到了120lm/W,09年可望实现量产产品发光效率达120lm/W。   

另外，Cree公司还展示了开发中的蓝色LED芯片的结构，它在SiC底板上使得GaN发生外延生长(Epitaxial Growth)。该芯片结构为，不采用下部电极而从表面实现正负极连接的2线焊(Wire Bonding)连接倒装芯片(Flip Chip)结构。由于没有下部电极，所以发光层发出的光在GaN层内不再发生反覆反射，与之前的芯片结构相比，芯片的光取出效率将会大大提高。