美国一家发展复合材料技术的公司Technology and Devices International日前表示，他们已经发展出新的InGaN（氮化銦鎵）表层材料，能够供应给LED生产之用。

InGaN是以GaN为基础的紫外光、蓝光、绿光与白光LED与蓝光雷射二极体（LD）等产品的基底材料，该公司指出透过新的技术，能够让以InGaN材料为基础的元件获得更佳效能。

这次新的基底组成，是以1层InGaN佈置在2英吋直径的GaN晶版上，产品的主要诉求市超高亮度紫外光、蓝光与绿光LED装置，而蓝光与绿光雷射二极管也能够采用这款材料。

TDI公司预计新的InGaN基底材料将于2008年初量产，而这项新成果主要是受到美国能源部、国防部的支援协助，预计能为固态照明、LED产业带来新的动力。