富士康(Foxconn) 近日研发新技术用来提升LED的量子效率，该项美国专利的申请将挑战目前LED芯片厂的工艺技术。富士康这项提升LED的量子效率的新技术，是通过纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式，让氮化铟镓(InGaN)与砷化铝镓(AlGaAs)活性层的晶格排列更平滑有序。研发人员宣称以氢化的碳化硅 (hydrogenated SiC)作为LED的基板材料，可以有效改善LED芯片的散热问题。

此外，富士康还在5月28日提出两项LED专利的申请，范围包括使用InGaN或AlGaAs作为活性层、单量子阱或多重量子阱层。富士康的LED与一般 LED外延结构的差别在于，前者在活性层两侧的局限层掺杂了直径20-200 nm的纳米微粒。

发明人陈杰良(Ga-Lane Chen)为鸿海集团的首席技术官，他在专利申请书中指出，掺入的纳米微粒可以是氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧化镓(GaO)、氮化镓 (AlN)或氮化硼(BN)，将有助于改善LED裸晶的芯片质量。专利中写道，纳米微粒可以改变n型与p型局限层的晶格常数 (lattice constant)，进而减少晶格的应变。通过减小应变，在n型局限层上沉积活性层以及在活性层上沉积p型局限层时，可以降低晶格错位 (dislocations)产生的机会。此外，晶格应变减小也会使活性层与局限层间的应力降低，进而改善量子效率。