东芝株式会社(TOKYO：6502)与SanDisk公司(NASDAQ：SNDK) 日前联合宣布，双方共同投资的300毫米NAND快闪存储器晶圆厂“Fab 5”正式开张，投产24nm工艺快闪存储器芯片。

Fab 5由东芝、SanDisk 2010年9月联合投资成立的Flash Forward, Ltd.公司负责运营，双方分别持有50.1％、49.9％的资本，员工300多人。该工厂于2010年破土动工，2011年3月份完工，如今正式投入量产，并计划在8月份出货第一批晶圆。

目前，Fab 5开始投产的24nm NAND快闪存储器工艺，是业内最先进的快闪存储器制造工艺技术，于2010年8月份首次投入量产。Fab 5采用新近宣布的全球最小、最先进的工艺节点——19纳米制造技术；未来，Fab 5将过渡到更高级的工艺制程。

Fab 5是东芝的第三座300毫米晶圆厂，厂区总面积18.7万平方米，建筑面积3.8万平方米，主体是一栋五层大楼，双层钢筋混凝土加高级防震结构。通过LED照明和节能制造设备等措施，Fab 5预计将会比Fab 4减少12％的二氧化碳排放量，同时水循环系统也与Fab 3、Fab 4连接在一起，进一步保证高效生产。