爱思强股份有限公司今日宣布，新客户位于比利时哈瑟尔特的III族氮化物外延材料新制造商EpiGaN已成功调试两套新MOCVD系统，可在6”或8”多项配置下运行。EpiGaN计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6英寸硅基氮化镓晶片，以及开发新一代200毫米硅基氮化镓晶片。

爱思强欧洲的服务支持团队已于该公司在比利时哈瑟尔特研究中心（Research Campus Hasselt) 专建的顶级设施中，安装并调试这些反应器。

EpiGaN首席执行官Marianne Germain博士表示：“EpiGaN是世界知名IMEC衍生出的公司。在完成募资后，我们已为实施战略计划、确立生产能力做好准备。我们与爱思强在硅基氮化镓方面多年富有成效的合作经验表明，爱思强的这些CCS系统完美地契合了我们的需求。EpiGaN团队在IMEC期间曾与爱思强CCS MOCVD系统团队合作，且曾合作发表多篇关于硅基氮化镓发展的论文。虽然研发高伏200毫米硅基氮化镓的前路仍有挑战，但我们相信，将我们累积多年的专长与合作伙伴爱思强的尖端设备及工艺技术相结合，定能更快更高效地实现我们的所有目标。”

爱思强股份有限公司副总裁兼电力电子项目经理Frank Wischmeyer博士补充道：“我们非常高兴宣布这项来自EpiGaN的新订单，EpiGaN是欧洲最新最具前景的新创企业之一。爱思强非常高兴能与EpiGaN携手合作，在其升级设备、优化流程和发展更大面积的硅基氮化镓晶片材料的道路上助其一臂之力。”

EpiGaN于2010年注册成立，公司致力于为元件制造商提供独一无二及历经验证的技术，服务于消费类电子的电力供应、混合动力电动汽车、太阳能逆变器、基站的射频电源、智能电网等市场领域。此外，该公司正参与EU项目HiPoSwitch，该项目旨在开发体积更小巧、功能更强大的能量转换器。