镓特半导体科技（上海）有限公司（简称“镓特”）全球发售4英寸自支撑氮化镓衬底。镓特使用自主研发的HVPE设备生长自支撑GaN（氮化镓）衬底，攻克了GaN高质量生长工艺、高良率剥离工艺、低成本研磨抛光工艺等关键技术，完成了中试开发，具备了量产4英寸自支撑GaN衬底的能力。

该公司从设备到晶体生长工艺全流程均具有自主知识产权，其中HVPE设备已经更新至第6代机型，目前已经申请专利45项，并获得高新技术企业认证。

据悉，镓特自支撑GaN衬底XRD摇摆曲线（002）和（102）半峰宽（FWHMs）均在50-60 aresec之间，位错密度低至1E6 /cm2，中心点offcut偏向m面0.35°，并可根据客户需求进行调整，晶格曲率半径大于10米。研磨抛光后的GaN衬底表面粗糙度在0.3nm以下，其他表面指标达到epi ready的标准。GaN衬底综合技术指标已经达到世界先进水平。

基于镓特的研发成果，成立了镓特半导体科技（铜陵）有限公司，规划年产36000片4英寸自支撑GaN衬底，产业规模居世界第一。在价格上，镓特4英寸自支撑GaN衬底价格与同尺寸SiC衬底相当，以推动GaN-on-GaN技术的大规模应用。

此外，镓特4英寸”epi-ready”自支撑氮化镓衬底主要应用于超高亮度发光二极管（LED）芯片，激光二极管（LD）芯片, 发射基站级高能量密度高频（RF）芯片，千伏特级电力（power）芯片，等等。

来源：镓特半导体

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