国星再获Mini/Micro LED、第三代半导体发明专利证书
2023-01-1111:14:12[编辑: Andygui]

昨(10)日晚间,国星光电发布公告宣布取得了11项发明专利证书,其中6项涉及Mini/Micro LED,1项涉及第三代半导体。

公告显示,国星光电于近日收到11项发明专利证书,其中中国国家知识产权局颁发的发明专利证书8项、美国发明专利证书3项,具体情况如下:
从专利涉及的领域来看,11项专利中,4项涉及Mini LED技术领域,2项涉及Micro LED技术领域,第三代半导体、景观亮化、车用LED、指示器件、户外LED等技术领域各1项。

据国星光电介绍,涉及Mini/Micro LED技术领域的6项专利,其技术方案涉及封装胶工艺改善、线路板检测点设置、超高清显示模组结构设置、芯片精准转移等方面,通过以上技术方案可以提高超高清显示产品的集成度,优化及简化线路结构设计,提升制程及封装良率,形成成熟的封装技术路线,确保显示效果的一致性,提高产品的质量。

第三代半导体领域发明专利名称为“一种集成模块及功率器件”,该集成模块以器件组为最基本单元,可应用至半桥逆变式功率转换电路或全桥逆变功率转换电路中,具有良好的通用性,同时叠层设置能有效降低回路电流的路径,降低模块的寄生电感,提升集成模块使用场景。

近几年来,国星光电调整发展战略,将重心聚焦于Mini/Micro LED超高清显示领域,并加速布局第三代半导体等前瞻领域赛道,优化产业布局、升级产品结构,通过持续的技术创新,形成了多项自主知识产权,也持续推出了多款创新产品。

在此之前,国星光电去年4月也取得多项专利证书,其中6项涉及Mini/Micro LED技术,3项涉及第三代半导体技术。而此次取得的专利证书,过半涉及Mini/Micro LED及第三代半导体,由此可见国星光电在这些新兴领域的布局取得了进展,知识产权布局进一步完善。

国星光电表示,这些专利的获得将对其工艺改进、产品创新、市场及品牌影响力提升等方面产生积极的影响,有助于国星光电增强在这些领域的核心竞争力。(LEDinside整理)

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