Sundiode与Soft-Epi开发全InGaN堆叠式RGB Micro LED
2023-01-1211:32:05[编辑: Akwan]

近日,外媒报道,堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode宣布,与GaN技术开发商Soft-Epi共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。

图片来源:Sundiode

资料显示,Sundiode总部位于美国加州,致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月,Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同,Sundiode的专有技术,只需将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。

据了解,Sundiode的外延技术使得开发多结(Multiple junctions)堆叠式RGB LED芯片成为了可能,芯片能够独立地发出RGB光色。采用这种芯片结构,制造商更易于生产出超高密度微型显示器。

Sundiode表示,由于在晶圆上测试采用了快速检查方法,单片RGB LED结构可作为级联多结LED(Cascade multi-junction LED)工作,检测所发出的光线则证实级联LED的正常运作。

本次研发的合作方Soft-Epi来自韩国,作为一家GaN技术开发商,已在2021年成功开发基于GaN的红、蓝、绿光LED。而在去年,Soft-Epi开发出号称韩国首款的红色GaN外延片,目前该产品已量产出货。(LEDinside整理)

转载请标注来源!更多LED资讯敬请关注官网(www.ledinside.cn)或搜索微信公众账号(LEDinside)。

分享:
相关文章