近日，美国Micro LED基芯片到芯片光学互连技术开发商Avicena，展示了全球首款采用 16nm FinFET CMOS工艺打造的Micro LED基收发器IC，带宽达到1Tbps。 该公司表示，与当前基于VCSEL或硅光子的解决方案相比，其基于Micro LED打造的LightBundle通信架构技术,可提供更低的功耗和延迟、更高的带宽和更低的成本。

据悉，LightBundle技术基于GaN基Micro LED阵列所制造，可集成在所有高性能的CMOS集成电路上，具备高带宽密度和能源效率，应用场景涵盖高性能计算系统（HPC）、人工智能（AI）/机器学习（ML）和分离式内存芯片间的互连、传感器、5G无线及航空航天等下一代链路领域。

Micro LED基收发器IC

本次Avicena通过全新16 nm FinFET工艺打造的IC，拥有超过300个通道，每个通过提供4Gbps带宽，超过1Tbps的双向总带宽。此外，IC尺寸小于12mm2，包含了光学发送和接收阵列电路，以及高速并行电气接口和各种测试设计、可制造性分析（DFT/DFM）功能。

Avicena表示，未来在LightBundle技术的加持下，公司将打造尺寸更小，带宽、密度更高的互连产品。

值得注意的是，在人工智能、高性能计算软件与应用需求不断提升的背景下，对于LightBundle通信架构技术的应用需求正在不断提升。Avicena为满足超大型数据中心运营商和世界领先的IC企业等客户对公司产品的需求，在今年3月与ams OSRAM达成了合作协议，量产应用于LightBundle通信架构技术的GaN Micro LED阵列。（LEDinside Irving整理）

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