国星光电点亮Micro LED全彩显示屏nStar Ⅲ
2023-12-0616:57:58[编辑: MiaHuang]

近日,国星光电Micro LED超高清显示研发项目成功点亮nStar Ⅲ。这是一款采用LTPS-TFT玻璃基驱动背板的1.84英寸Micro LED全彩显示屏,该屏采用全倒装无衬底LED像素发光单元,可实现屏幕峰值亮度>1500nits,像素间距为0.078mm,分辨率360*480,有望应用于Micro LED手表等智能穿戴产品。

Micro LED全彩显示屏--nStar III,图片来源:国星光电

据国星光电介绍,nStar Ⅲ采用国星光电自主研发的巨量转移技术和Micro LED玻璃基封装专利技术,不仅实现>50多万颗Micro?LED芯片高密度集成,R/G/B三色芯片落位精度<2um,转移良率>99.9%,还使得外形厚度更薄,平整度更高,可兼顾散热与显示一致性。

从2020年6月nStar Ⅰ问世,到2022年9月推出nStar Ⅱ,再到本次迎来nStar Ⅲ,国星光电Micro LED全彩显示屏产品迭代升级正在稳步推进当中。

2020年6月,国星光电第一代Micro LED新品——nStar Ⅰ 2.7英寸显示模组正式面世。技术方面,据介绍,nStar Ⅰ采用玻璃作为基板介质,透明度高达60%;采用RGB芯片巨量转移技术,色域大于100% NTSC,全彩化显示效果更加逼真;采用一体式超薄封装技术,对散热更友好,同时保证了显示效果的一致性以及更低亮度损失;具有更低的失效率,功率可低至LCD的10-20%,OLED的50-70%,可靠性高。

2022年9月,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显示屏,像素间距300微米(P0.3),采用TFT驱动实现了8bit(256灰阶)色深的显示效果;基于自主搭建的Micro LED技术创新研发平台,同时突破了巨量转移及巨量键合双重技术难题,其综合良率提升至99.99%。

伴随着nStar系列产品更新换代,技术上不断向小间距、小尺寸等方面升级,性能持续提升,国星光电后续产品的开发将不断拓宽应用领域。

在Micro LED领域,国星光电近年来大力布局自主研发,自2018年成立Mini&Micro LED研究中心后,2020年又成立了广东省半导体微显示重点实验室,目前,公司在Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件。

值得一提的是,国星光电牵头承担的Micro LED全彩显示屏研发项目分别获批国家重点研发计划、广东省重点领域研发计划等科研项目,这有助于国星光电全力推进Micro LED新型显示项目开发,加速关键技术攻坚进程。(LEDinside Carl整理)

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