原子能信息实验室将公布两项MicroLED技术成果
2024-01-2909:10:41[编辑: MiaHuang]

1 月 27 日消息,原子能信息实验室近日发布预告,表示将出席1月31日开幕的2024年美国西部光电博览会,发表两篇关于其Micro LED技术进展的论文,介绍如何制造数据速率密度更高的LED矩阵,以及如何减少小尺寸LED的效率损失。

在《使用CMOS兼容方法与InGaN / GaN微型LED进行并行通信》论文中,原子能信息实验室将介绍如何直接在200毫米硅基板上制造LED,为生产由专用CMOS电路独立控制、几微米级别的LED矩阵铺平了道路。

InGaN / GaN微型发光二极管因其坚固耐用、大规模可用性和达到GHz级带宽的能力,成为实现高数据速率光通信的有力候选器件。

LED 阵列使用InGaN / GaN微型发光二极管,可以实现大规模并行传输,从而达到高数据速率密度。

原子能信息实验室将公布两项MicroLED技术成果

图片来源:拍信网正版图库

原子能信息实验室还研发出一种将GaN LED矩阵集成到CMOS ASIC上的专利工艺,通过将微型LED直接粘接在200毫米硅晶片上,并使用氮化镓基器件作为发射器和快速光电探测器,优化了微型LED的集成度。

另一项论文名为《在蓝宝石、独立GaN和硅上,InGaN量子阱厚度对其载流扩散长度的影响》。

该机构表示:“我们通过实验证明,可以通过减少InGaN量子阱的厚度来减少扩散长度。此外,我们还展示了在大型量子阱中观察到的与功率相关的、意想不到的扩散行为,这可能有助于我们理解发射器的物理学原理。”(来源:IT之家)

转载请标注来源!更多LED资讯敬请关注官网(www.ledinside.cn)或搜索微信公众账号(LEDinside)。

分享:
相关文章