近日，TCL华星、罗化芯相继取得Micro LED专利，涉及芯片转移，AR/VR全彩显示技术等。

TCL华星光电取得 Micro LED 芯片的转移装置及转移方法专利

2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，TCL华星光电技术有限公司取得一项名为“Micro LED芯片的转移装置及转移方法”的专利，授权公告号 CN114695624B，申请日期为2022年3月。
 

图片来源：国家知识产权局

该发明提供了一种Micro LED芯片的转移装置及转移方法，包括：机台，用于承载并传送目标基板；临时基板，用于临时承载Micro LED芯片；刺轮，包括至少3个刺针，所述刺针用于将所述Micro LED芯片从所述临时基板上脱离，转移至所述目标基板上；滑轮，用于传送所述临时基板；

在所述Micro LED芯片转移过程中，所述刺轮和所述滑轮位于所述机台的上方，且位于所述临时基板背离所述Micro LED芯片的一侧。通过采用本发明提供的所述转移装置，实施本发明提供的转移方法，对所述Micro LED芯片进行转移，可以达到百万颗/小时的转移效率，提高了Micro LED芯片的转移效率，从而提高了Micro LED显示屏的生产效率，降低了生产成本。

罗化芯取得AR/VR全彩Micro LED显示装置及其制备方法专利

2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司取得一项名为“一种AR/VR全彩 Micro LED显示装置及其制备方法”的专利，授权公告号CN118969937B，申请日期为 2024年10月。

图片来源：国家知识产权局

本发明涉及一种AR/VR全彩Micro-LED显示装置及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法中，通过设置层叠设置的第一保护层、第二保护层以及第三保护层，且第二保护层的密度大于第一保护层的密度，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6-1.5g/cm；

所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度，通过设置密度逐渐变化的第二保护层，进而使得第二保护层的致密性逐渐提高，有效保护第一保护层的同时，使得第二保护层的外表面的刚性增加，且第三保护层的刚性更大，进而在后续转移工序以及使用过程中，有效保护Micro-LED芯片。（LEDinside整理）

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