7月22日，美国Micro LED显示技术初创公司Q-Pixel发布其最新巨量转移技术Q-Transfer，新技术实现了超过99.9995%的转移良率，远超传统巨量转移方法。

 

 

图片来源：Q-Pixel

 

Q-Pixel展示了基于Q-Transfer技术制造的Micro LED原型显示面板。该面板采用了10μm的可调波长多色LED （Tunable Polychromatic LED（TP-LED））像素，具备每英寸500像素以上（PPI）的高密度显示效果。在Micro LED转移过程中，无任何像素缺失情况出现，展现超99.9995% 的高转移良率。

 

Q-Pixel方面表示，Q-Transfer技术发布是公司发展的关键里程碑。Q-Transfer技术为显示产业带来了更简单、更具成本效益的Micro LED解决方案，释放了Micro LED的潜力，不再局限于AR/VR市场，还可拓展至智能手表、智能手机及其他大尺寸设备市场。

 

 

值得注意的是，此前Q-Pixel已发布多款高清Micro LED显示器产品，包括自研的全球最高分辨率全彩主动式矩阵显示器（6800 PPI）、全球最小全彩像素（直径仅1微米）制成的被动式10000 PPI Micro LED显示器等产品。随着巨量转移技术的突破，未来Q-Pixel将有望推出更多高清全彩Micro LED显示产品。

 

巨量转移技术持续突破中

 

巨量转移是Micro LED产业化的难点之一，如何将几百万甚至数千万颗微米级LED芯片从生长衬底上高速、精准、低成本地转移至驱动背板上，是行业长期面对的课题。

 

然而随着时间的推移，巨量转移的问题正在被逐渐攻破，企业通过不同解决方案，持续提升这巨量转移的良率，加速Micro LED量产进程。

 

除Q-Pixel外，国内也有许多LED、显示企业也在持续突破巨量转移难题当中。

 

在LED领域，今年4月，利亚德发布了新一代黑钻（Hi-Micro）技术，采用了自主研发的激光巨量转移工艺打造，提升了转移效率与系统稳定性。

 

洲明科技通过布局MiP封装技术，突破巨量转移技术难题，实现了Micro LED 30 μm*50μm尺寸无衬底技术0202封装，并同步实现MiP P0.4间距显示产品的量产。

 

国星光电则在积极研究Micro LED前沿技术，通过聚焦Micro LED巨量转移技术瓶颈问题，研发出平面热压巨量键合工艺，实现Micro LED芯片与基板高精度、高密度电气连接，保障Micro LED产品实现高分辨率、高亮度、高色彩饱和度的显示特性。

 

辰显光电在去年底发布了新一代TFT基Micro-LED拼接屏，采用了尺寸仅为25微米的Micro-LED芯片，通过国际领先的99.995%的巨量转移及修复良率，屏幕搭载了3300万颗LED（88英寸P0.5产品）。辰显光电表示，巨量转移及修复方案已到量产准备阶段。

 

深康佳在Micro LED领域主要供应的Micro LED外延产品主要是4英寸和6英寸产品。深康佳此前曾表示，公司的混合式巨量转移技术良率已达到99.999%，所生产的产品可应用于智能穿戴、AR/VR、车载及大屏显示等领域。

 

除LED厂商外，许多面板厂商也在积极布局Micro LED，因此，这些企业也是助力突破巨量转移难题的关键一份子。

 

例如，京东方同时发展基于COG (Chip-on-Glass)和COB(Chip-on-Board) 技术的RGB Mini/Micro LED直显解决方案，以及Mini LED背光解决方案 。此前，京东方已与国际装备公司合作开发巨量转移技术，完成第2.5代巨量转移先导线建设。

 

TCL华星与三安光电成立了合资公司芯颖显示，公司主要聚焦在LED芯片小型化、发光效率提升、转移键合技术开发、背板材料工艺研究以及驱动和补偿算法优化等四大技术攻克上。

 

深天马在去年底完成了G3.5代Micro LED生产线贯通，该产线利用LTPS TFT玻璃基板和先进的全激光巨量转移工艺，能够生产出无尺寸限制、可无边框拼接的Micro LED显示产品。

 

友达在Micro LED的关键制程，特别是巨量转移技术上投入研发，已开发出自有的解决方案，以提高生产效率和良率...

 

小结

 

目前，国内外企业都在Micro LED关键制程上进行着最新布局，持续推进巨量转移等难点技术的研究，在此背景下，未来Micro LED产业化难题有望再次加速突破。（文：LEDinside Irving）

 

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