8月18日，晶耀芯辉磷化铟光芯片生产基地项目签约仪式在江苏省常州市钟楼区举行。

据悉，本次签约项目总投资1.2亿元，核心建设3000平方米磷化铟外延、芯片生产线，设计年产能3000万颗光芯片，产品主要应用于AI算力数据中心、高速光通信等领域。

资料显示，南京晶耀芯辉半导体科技有限公司（以下简称“晶耀芯辉”）专注于高端磷化铟外延和芯片研发生产，核心产品涵盖高速EML激光器芯片（100G、200G）以及用于硅光集成的大功率CW光源芯片（100mW、200mW、400mW）。

据企查查官网信息，公司自2024年至今已完成3轮融资。其中，公司于今年7月获得的逾亿元融资，将主要用于投建晶圆厂（FAB），使晶耀芯辉具备从外延、流片到测试的完整自主制造能力，保障高端光芯片的性能一致性与规模交付，满足AI数据中心对光互连芯片快速增长的需求。（集邦光通信整理）

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