10月14日，武汉天源董事会审议通过相关议案，同意公司与楚雄高新技术产业开发区管理委员会就投资建设“楚雄高新区年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目”，并签署了协议。

该项目计划总投资约5亿元，建设工期12个月，由武汉天源新设全资子公司负责投资、建设与运营，产线达产后将形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力，项目分高纯铟生产系统（约15亩）与磷化铟多晶生产系统（约30亩）两部分布置，配套建设洁净厂房、超纯水车间、研发中心及环保处理设施。

资料显示，武汉天源此前主营业务主要聚焦环境治理与绿色能源两大领域；今年通过完成对中讯半导体60%股权的收购，公司正式切入磷化铟衬底材料赛道。

据悉，中讯半导体主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售，具备2至4英寸单晶磷化铟衬底的试制技术条件，正分阶段推进4英寸产品量产爬坡与6英寸衬底技术研发，已向多家头部半导体客户完成送样并获得参数确认。

武汉天源表示，项目顺利建成并完全达产后，依托产业链协同优势，将有效丰富公司业务品类、拓宽营收渠道，对公司未来经营收入及长期发展具备一定积极影响。但公司同时强调，受实际投产进度、产能爬坡效率、下游半导体需求波动及市场售价不确定性影响，项目实际产能释放节奏与盈利水平能否达预期仍存在不确定性。（集邦光通信整理）

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