近期，中国有色金属工业协会、中国有色金属学会联合发布了《关于颁发2020年度中国有色金属工业科学技术奖的通知》，国星光电全资子公司国星半导体凭借“Ⅲ族氮化物器件制备与高效散热技术（发明）” 荣获中国有色金属科学技术奖一等奖。

“中国有色金属工业科学技术奖”是有色金属行业唯一的全国性科技奖项，是国家科技奖励体系的重要组成部分。该奖项由中国有色金属工业协会、中国有色金属学会组织评选和审定，通过分组评审、专业组初评、大会复评等过程评选出年度获奖项目，因其专业性、严谨性、公正性得到业内的高度认可，对展示行业最新成果、推动行业科技发展、培养行业创新人才具有重要作用。

本次获奖技术由国星半导体与华南理工大学共同开发。国星半导体充分利用该技术，设计了多种新型异质外延结构，增强了载流子输运性能，提升了器件的内外量子效率，先后研制并产业化了D3535、D4545、D5555等多个倒装芯片系列。其中，运用国星半导体D4545系列芯片生产的器件，经第三方机构检测，光效达到170lm/W@350mA，光电转换效率超过70%。拥有低电压、高光效和良好的电流扩散等特点，目前被广泛运用在车灯、闪光灯等领域。

运用国星半导体倒装大功率芯片的器件

国星半导体为国星光电的全资子公司，主要业务为研发、生产和销售蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。经过持续创新开拓，攻坚克难，国星半导体在硅基GaN芯片、Micro/Mini LED、紫外UV LED、车用大功率芯片等先进技术领域屡获新的进展和突破，积累了一大批自主知识产权。为公司的产品质量及技术迭代提供了有力的支持，为公司的技术迭代提供了强劲的动力。

截止2021年6月，国星半导体已累计申请专利312项，获得授权专利169项，其中授权发明专利28项。此外，在2021年1月，国星半导体还获得了佛山市高新技术产业协会颁发“科技创新优势企业”称号。

未来，国星光电将继续深入贯彻落实创新驱动发展战略，助力国星半导体加快布局Mini LED、大功率车用级LED、紫外LED等新赛道，探索前瞻性Micro LED和GaN功率器件等第三代半导体领域，为广晟集团奋进世界500强贡献出国星力量！（来源：国星光电）

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