IR+UV EXPO 2015 第二天演讲由理化学研究所主任研究员平山先生进行开场，半导体元件如LD与LED深紫外线的部分都是未来厂商积极开发的目标。波长250～350nm半导体紫外LD与紫外LED的应用备受期待，主要原因是紫外LED激发，而且驱动电路非常单纯，可以获得高演色性白光照明。目前UV LED在220-350nm高效率化上面临到的问题主要分为三点: 第一、包括AlGaN 发光效率低-内部量子效率<1%；第二、AlGaN 的P极化困难-电子注入效率<20%；光取出效率低约8%。未来将透过低转位密度AlN 的开发、In 组成变调，将内部量子提升到50~80%；多重量子障壁(MQB)的改善也可将电子注入效率提升到>80%的效率；光取出效率(EQE)更可透过p-GaN转换到透明的AlGaN接触层并加以图形化，改善未来也可期望达到最高20%的程度。

DOWA 为日本UV LED 晶片、封装厂商，于研讨会中不仅发表280nm深紫外线LED产品，20mA可达到2mW，若实际运用在微生物实验上，照射10秒左右，可有效看见效果，预计当产品朝向260nm波长后，水杀菌或是手术器具表面杀菌效果应用将有相当市场。

金泽大学泷健先生提到，目前UV树脂固化LED应用中朝向奈米压印，利用模具家出深宽100nm，并透过UV树脂固化后脱模，可达到奈米化图案化衬底基板。对于LED产业市场持续朝向高效率LED的趋势，是个相当好的未来趋势。 錼创科技(PlayNitride Inc.)提供整合式服务，采用光源包含白光雷射与UV LED产品。由于采用雷射光源，照射距离可高达600公尺，最大照度为25公尺下可达到560lux，未来将应用在海上照明系统。

同时錼创科技(PlayNitride Inc.) 推出700W与1,900W UV LED 光源模组，分别采用气冷式与水冷式系统，工作距离为70mm下，700W UV LED 光源模组的辐射照度(Typical Irradiance ) 可达到2W/cm2；而1,900W UV LED 光源模组的辐射照度(Typical Irradiance) 可达到5W/cm2。产品应用包含UV 树脂固化、油墨印刷。

EPITEX 拥有40年的业界经验，紫外线与红外线LED晶片(365nm-1,650nm)、封装、模组产品开发与生产销售。于展场上推出EDC与SMBB产品，使用陶瓷基板、矽胶(Silicon) /环氧树脂(EPOXY)镜片产品，发光角度可以客户客制化从10°-60°。同时展出30W UV LED，使用2A、20V驱动。UV 气冷式系统产品采用395nm波长，产品强调光的均匀性，应用于固化设备市场之中。

IR 产品850nm 产品可透过二次光学设计改变最后指向角度。由于光线更为均匀且强度更为集中，应用与多项应用之中。目前广泛应用于安全控制系统与资料采集系统之中。

UV LED市场发展持续成长的动力，除了UV LED产品效率与技术提升、系统整合能力外，光固化起始剂中UV 胶厂商占有相当重要的市场地位，主要厂商包或信越、Phoseon、Summers Optical 与PARQIT。PARQIT主要波段~565nm，不断持续开发不同波长范围的UV环氧树脂胶(EXPOXY)以及高反射率材料，硬化收缩率朝向1%，成本优势为PARQIT主要产品优势。

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