1月24日，「半导体照明前沿关键技术培训研讨会」在中国科学院半导体研究所学术会议中心召开。

会上，中科院物理研究所周均铭教授做了题为《制备超高亮度、大功率LED外延片材料的生长技术》的报告。

在报告中，周均铭教授分析了极化效应对GaN基LED发光效率的影响及非对称InGaN/GaN耦合宽窄量子阱中的隧穿辅助反常载流子运输问题；提出了非对称量子阱结构中内量子功率显着提高的方法。并指出目前该所已经形成了生长高亮度蓝光LED外延材料的生产技术，并申请了专利。