近日，日本大厂同和电子（DOWA Electronics）宣佈，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED芯片。比目前市售的紫外LED发光波长短，实现了该波长范围全球最高水准的输出功率。该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验，力争2008年内开始样品供

这款新的紫外线LED芯片采用了在蓝宝石底板上高温外延生成的AIN层范本，并结合使用从美国帕洛阿尔托研究中心（Palo Alto Research Center）引进的紫外LED外延生长技术。

同和电子具有制造高品质AIN范本的技术，该公司介绍说，用AIN范本作为缓冲层，可有效降低促使结晶生长的氮化鎵（GaN）材料的变形。