近日，瑞萨电子正式宣佈加强公司化合物半导体业务的新目标，包括由化合物半导体（如砷化鎵（GaAs））构成的光学器件和微波器件。该公司计划：利用光电耦合器、RF（射频）开关IC和其它重点产品获取全球最大的市场份额。在2011年3月之前推出氮化鎵（GaN）基半导体产品。

在光电耦合器方面，瑞萨电子计划加快开发高温操作、低功耗和小型封装，以便满足「绿色」市场不断增长的需求，如混合动力和电动车、LED照明系统与电表。

公司计划通过结合面向高压和大电流输出的IGBT（绝缘栅双极晶体管）与微控制器（MCU）来进一步拓展光电耦合器的销售。公司特别决定通过将职员总数增加1倍来加强其海外营销职能。将其生产容量在2009年Q4的基础上扩大1倍。努力在2011财年获取光点耦合器市场世界最大份额。

在具有RF功能的电子器件（如手机和笔记本电脑）上实现收发转换、3G-GSM转换和天线转换的RF开关IC方面，瑞萨电子计划采用业内领先的新型低损耗晶体管，并推出采用小型封装技术的产品，采用超小型封装的RF开关IC产品或以裸芯片的形式推出RF开关IC。还计划通过与美国、欧洲和中国台湾的芯片集供应商合作来扩展RF开关IC业务，从而为系统制造商提供参考设计。力图获取世界最大的RF开关IC市场份额。

在GaN基半导体产品方面，瑞萨电子通过将GaN层堆叠到Si基片上来生产电路。可以实现更大的外延片（6英吋外延片），并且还能够以较低的成本生产半导体器件。该公司计划先推出面向CATV（有线电视）放大器市场的、高可靠性、高功能GaN基产品。预计2011年3月开始发售瑞萨电子的首款GaN基产品样品 —— 一 款面向CATV的标准器件，它整合了多个GaN FET、冷凝器和其他器件。

瑞萨电子预计，2010财年到2012财年化合物半导体市场的年平均增长率将达到 8%。并进一步可将其化合物半导体业务扩大11%，到2012财年将化合物半导体销售额提高1.2 倍，成为业内领先的化合物半导体供应商。