近期，士兰微电子推出了第四代平面结构高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。该产品工作电压可以复盖400V—900V区间，工作电流在1A—18A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于LED 照明，AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。

F-CellTM产品采用了尺寸较小的保护环结构，在相同规格的条件下，具有相对较小的芯片面积，可有效增加芯片的利用率且降低芯片的制造成本。

同时，该产品优化了栅氧化层的厚度和制程质量，提高了栅源击穿电压，从而提高了产品可靠性及稳定度；其突出表现在F-CellTM产品在经过HTRB可靠性试验后，IDSS仍然可以维持在几nA的高水平，这保证了F-CellTM器件在长时间工作的高可靠性。

此外，F-CellTM产品通过在设计及制程上的演进，优化了原胞结构，有效减小了JFET效应，使得器件的单位面积导通电阻有明显减小，从而降低了器件的静态损耗；另外，通过对多晶栅进行重掺杂处理，提高了器件的响应速度，从而提高转换效率及降低开关动态损耗。

目前，士兰微电子F-CellTM高压MOSFET产品已陆续导入大量且稳定生产中。