氮化镓基半导体层是生产蓝光谱芯片（包括白光LED）的最常用工艺，氮化镓层是通过在蓝宝石衬底上使用MOCVD这样的外延法生长出来的。为了散热，需要在用于生长外延层的蓝宝石衬底上结合一层金属，但是如果蓝宝石和金属层的热膨胀系数不同，热膨胀系数低的材质容易发生破裂从而影响外延层的生长品质。为防止出现这样的缺陷，理想的金属层应该具有和蓝宝石相同的热膨胀系数。

钼是原来常用的金属材料，其导热性好且耐热，但是其热膨胀系数低于蓝宝石(Al2O3)的热膨胀系数（约为5）。新研发出来的钼铜复合材料Mo-Cu R670具有和蓝宝石相同的热膨胀系数，其热导率为170W/mK，温度漂移6.7ppm/K。