计划进行III-V族硅二极管激光器的联合研究

2012年8月28日，德国斯图加特大学再度向爱思强订购一套3x2英寸底材规格的近耦合喷淋头系统。该系统将由斯图加特大学半导体光学和功能接口研究所(Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, IHFG)的研究团队使用。

IHFG专注于半导体光学和外延领域的研究。新的爱思强系统将用于拓展IHFG在以砷化镓(GaAs)为底材的光电领域的研究，尤其是用于生产固态激光器。这套新系统于2012年第一季度订购，并将于2012年第三季度交付。

IHFG的Michael Jetter博士评论说：“这套3x2英寸的近耦合喷淋头系统将会用于两个方面：一方面我们希望制造以砷化镓为基材的激光器，另外我们希望能够将这一技术转移到硅基材上。作为专注于半导体光学的专业机构，我们的主要研究领域是半导体激光器以及低维度结构，如量子阱（QW）和量子点(QD)等。”

研究工作的重点之一是量子密码学和单光子发射器。然而，研究人员预期研究工作也将为汽车电子带来机遇。研究人员将利用爱思强的MOCVD技术，在硅基材上生长III-V族材料。Jetter博士表示：“我们希望在硅质电子设备上实现光学功能，也就是在兼容CMOS的硅基材上以单片形式整合III-V族的光学设备（基于量子阱或量子点的激光器和LED等）。这样可以实现芯片内、芯片间乃至板卡间的光学数据互连。”

爱思强的设备也将安装在斯图加特光子工程研究中心（SCoPE），用于增进斯图加特大学科学家与工程师之间的跨领域合作。IHFG计划与爱思强在斯图加特地区展开联合研究和其他科学项目的进一步合作，着重在硅基材上生长III-V族材料。