大力支持第三代半导体,上海临港发布集成电路产业规划
2021-03-0811:45:34[编辑: MiaHuang]

3月3日,上海临港新片区发布《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划(2021-2025)》(下文简称为《规划》)。

《规划》中表示目标是到2025年,形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架。

其中,产业规模方面,集成电路产业规模将会突破1000亿元,芯片制造、装备材料主导地位进一步加强,芯片设计、封装测试形成规模化集聚。园区集成电路产业投资强度1500万元/亩,产出强度1500万元/亩。

技术创新方面,先进工艺、成熟工艺、特色工艺进入国际前列,EDA工具、光刻胶、大硅片等关键“卡脖子”技术产业化取得突破,2种以上关键装备进入全球领先制造企业采购体系。

企业培育方面,到2025年,引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业;形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业;培育10家以上的上市企业,围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。

人才集聚方面,汇聚超过2-5万名硕士以上学历的集成电路从业人员。

图片来源:拍信网正版图库

目前,新片区已引进华大、新昇、格科、闻泰、中微、寒武纪、地平线等40余家行业标杆企业,初步形成了覆盖芯片设计、特色工艺制造、新型存储、第三代半导体、封装测试以及装备、材料等环节的集成电路全产业链生态体系。

《规划》中提出,将积极对接引进国内最先进工艺线放大项目,推进磁存储器(MRAM)、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地。

提升新片区芯片制造产业能级,夯实产业基础。打造国内特色工艺生产高地,坚持市场需求与技术开发相结合,推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化,支持细分领域IDM项目建设。

推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设,面向5G、新能源汽车等应用场景,加快化合物半导体产品验证应用。(来源:化合物半导体市场)

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