英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片产线正式量产
2021-06-07 04:47 [编辑: MiaHuang]

6月5日,英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称“英诺赛科”)8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式在江苏汾湖高新区举行。这标志着英诺赛科成为世界上第一家实现8英寸硅基氮化镓(GaN)量产的企业。

8英寸硅基氮化镓芯片苏州一期项目,预计投资80亿元。英诺赛科一期项目于2020年9月举行设备搬入仪式,进入量产准备阶段。同年11月通线试产,短短几个月时间,项目进展快速,于近日宣布开启大规模量产。

项目预计2021年实现产能可达6000片/月,全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆,预计年产值150亿元,利税超15亿元。

建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

与量产仪式一起举行的还有“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式,以及研发楼奠基仪式。

图片来源:汾湖发布

会上,英诺赛科总经理孙在亨指出,半导体硅材料在经过70多年的开发后,已经接近其材料极限,而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中,基于氮化镓的市场应用取得了很多突破,开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透,尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。“我毫不怀疑基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。”孙在亨强调,“随着英诺赛科苏州工厂的成功量产,我们已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。”

英诺赛科成立于2017年,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业,采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC及射频RF器件,是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。

英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业,是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。(来源:化合物半导体市场,Amber整理)

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