近日，鼎镓半导体宣布了其基于第三代半导体的大功率深紫外LED芯片的研发项目进入2023年度浙江南湖区科技计划重点项目名单。

官方消息显示，鼎镓半导体是一家以第三代半导体外延片制备、芯片设计及相关应用产品研发为主的研发先导性科技企业，主要产品是以第三代半导体材料为主的GaN紫外光电半导体芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探测器、氮化镓功率芯片系列。

2022年1月，鼎镓半导体实现了国内首张6英寸高功率深紫外LED外延的结构设计和生长流片，完成了工艺和配方的量产调试，将传统的50mW以上的单片高功率深紫外LED芯片的生产成本降低到原有价格的三分之一，同时将高功率固态半导体深紫外DUV激光器光源的研制生产变为了可能。

据介绍，鼎镓半导体在普通蓝宝石衬底的基础上，引入了全新的半导体材料与AlGaN材料结合的方式，通过超晶格结构使用两类半导体化合物材料优势互补，克服了大尺寸深紫外外延片在重铝掺杂的情况下容易出现的晶格失配的缺陷，突破了传统AlGaN外延PIN结构的限制，实现了6英寸外延生产工艺的创造性突破。

经第三方权威机构检测，外延一致性达到了97%，峰值波长在265nm，输出光功率不低于1500a.u.，核心buffer层厚度突破了4μm。

目前，鼎镓半导体已获得多项发明与实用新型专利，产品主要应用于空气、水体、物表杀菌消毒、净化除异味，涉及工业环保、生命医疗、民生健康等领域。（LEDInside整理）

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