LEDinside译 东芝电子欧洲（TEE）近日推出采用硅基氮化镓(GaN-on-Si)制程研发的第二代LETERASTM白光LED，相比当下的LED器件，1W TL1F2系列的LED是具有成本竞争优势的，可为通用和工业LED照明制造商降低成本。

高性能白光LED通常被以相对​​小的100mm或150mm晶圆尺寸组装在昂贵的蓝宝石衬底上制备在。与此相反，东芝研发了一项制作工艺，可以采用更具成本效益的200毫米的硅晶片制造氮化镓LED。采用更具成本竞争力的硅衬底代替昂贵的蓝宝石衬底，这有助于降低成本，同时利用现有的硅制造设施。

相比TL1F1系列，通过优化封装和增加硅基氮化镓LED芯片的光输出后的TL1F2系列白色LED的发光效率有所提高。该TL1F2系列提供了从2700K到6500K的完整的相关色温（CCT）范围，两极点相关色温下的最低显色性指数（CRI）分别为80和70。1W LED的光通量范围为104流明到135流明，这取决于色温和显色指数。

新器件采用标准的6450封装，尺寸为6.4毫米x5.0毫米x1.35毫米。额定驱动电流（IF）为350mA，额定正向电压（VF）为2.85V，帮助设计人员降低系统功耗。工作温度范围为-40°C至100°C，这使得TL1F2系列均适用于室内和室外应用序，如灯泡，天花板照明，路灯，泛光灯。TL1F2系列将于2013年11月批量生产的。（责编：Nicole）

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