以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料，具有众多优势及广阔的应用前景，在业界引发热切关注，成为全球半导体产业新的战略高地，是全球半导体研究的前沿和热点，各国政府都纷纷加紧在该领域的部署。第三代半导体材料及技术应用也是我国国家重点研发计划专项的核心内容。

为加快推进该产业相关技术的研发及成果落地，近日，由北京市科学技术委员会和第三代半导体产业技术创新战略联盟共同策划，依托中国(北京)跨国技术转移大会这一知名国际创新平台，打造“2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛”(以下简称“大会”)。大会将于2016年11月在北京国际会议中心举办。

作为一个在国际上有一定知名度的会议品牌，中国(北京)跨国技术转移大会当前由北京市人民政府和科技部共同主办，已连续举办五届。大会在促进北京乃至全国的国际技术转移与国际科技合作方面发挥着显著的作用。今年的大会上，第三代半导体将成为一个重点领域板块，从技术、产业、应用等全链条策划，将吸引国内外该领域高端资源汇聚北京。

同时，大会还将与第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2016)强强联合，优势互动，通过高峰论坛、专题研讨、合作论坛等多种形式，围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用设置多个专场重点讨论。届时，2014年诺贝尔物理学奖获得者、蓝光LED发明人中村修二将担任大会外方主席，并作重要报告。

值得一提的是，作为一次高层次学术会议，此次SSLCHINA论坛与往届一样，征集到的论文有机会收录入IEEE的国际学术会议论文集，录入Xplore电子图书馆。目前，论坛已正式对外发布征文通知，面向全球征集高质量优秀稿件。

 

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