南科大在深紫外Micro LED与超宽色域显示技术取得进展
2022-01-13 11:34 [编辑: MiaHuang]

近日,由南方科技大学电子系、香港科技大学先进显示与光电子国家重点实验室、中科院苏州纳米所组成的联合攻关团队在深紫外Micro LED与超宽色域显示技术领域取得进展,相关结果发表于电子领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters。

基于AlGaN的深紫外Micro-LED在光电与显示、生物医学、大健康等领域备受瞩目。在本研究中,研发团队设计并制备了不同规格的深紫外Micro-LED阵列器件,像素尺寸从10×10 μm2 到200×200 μm2,其中10×10 μm2 的Deep-UV Micro LED在连续波发光情况下,最高亮度达到了185 W/cm2,最高外量子效率达到了3.43%,是目前同类型深紫外Micro LED器件的最高外量子效率。

此外,该研究采用深紫外Micro-LED阵列作为激发源,采用色转换的方法使三色量子点薄膜发光,达到了Rec. 2020标准121%(或为NTSC标准179%)的超宽色域,这是目前已知显示技术中报道的最宽色域值,展现了该技术在未来新型显示领域的应用中具有很大的潜力。

原文题目:AlGaN-based Deep-UV Micro LED Array for Quantum Dots Converted Display with Ultra-wide Color Gamut

通讯作者:南方科技大学电子系 Zhaojun Liu (e-mail: liuzj@sustech.edu.cn)

论文作者:Feng Feng, Ke Zhang, Yibo Liu, Yonghong Lin, Ke Xu, Hoi Sing Kwok, and Zhaojun Liu(来源:南方科技大学)

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