美国化合物半导体衬底大厂Technology and Devices International Inc.（TDI）日前宣布，该公司推出4英吋，约100毫米的GaN磊外延片和AlN磊外延片，已经正式投入量产，不久将正式出货。

TDI指出，他们采用独具专利的氢化物汽相外延法(HVPE)，使用位于Silver Spring, MD的多芯片生产设备生产这些磊外延片。

GaN磊外延片含有一个7～12微米厚的GaN层，该GaN层附着在(0001)　c-plane四英寸蓝宝石衬底上。这些GaN磊外延片适用于低缺陷衬底，用来生产高亮度蓝色、绿色和白色GaN基发光二极体（LEDs）。

AlN磊外延片包含一个10～30微米厚的AlN绝缘层，该绝缘层附着在(0001) 4英寸金刚砂衬底上。这些AlN磊外延片适用于低缺陷的绝缘层，用来生产高能AlGaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)。

TDI总裁兼首席执行官Vladimir Dmitriev表示，「开发GaN基器件，幷把GaN基器件推广应用于较大衬底，已成为当今产业的一个趋势。TDI客户已把目光从标准的2吋外延片投向3吋和4吋磊外延片。不过，TDI已做好了准备，增加了生产设施和镀膜设备，开始大批量生产4吋（100毫米）GaN磊外延片和AlN磊外延片。」

Vladimir Dmitriev接着说，「目前，TDI在100毫米GaN 和AlN氢化物汽相外延法(HVPE)生产流程和设备方面，占有领先的优势，TDI计划在2008年推出6吋磊外延片。批量生产大尺寸低成本的GaN 和AlN衬底将使我们的客户大大受益，节约材料，降低成本。」

关于TDI

TDI是一家新型化合物半导体衬底开发商，涉猎范围包括GaN, AlN, AlGaN, InN, 和InGaN等。TDI开发且推广了一系列化合物半导体材料，主要应用于固体照明设备、短波光电产品、RF电力电子产品等。