国星光电拟10亿投资扩产新一代LED封装器件及外延芯片
2019-01-1009:28:09[编辑: Andygui]

昨(9)日,国星光电发布公告称,结合目前小间距及Mini LED显示市场的增长向好的态势,以及公司自身封装产能受限、产品供不应求的实际情况,计划投资10亿元进行新一代LED封装器件及配套外延芯片的扩产。

投资扩产项目计划分两期进行,第一期拟计划投资5亿元,投资完成进行中期投资评价合格后,结合市场实际科学实施第二期投资。主要扩产产品为新一代LED封装器件及外延芯片产能扩充,包括小间距、Mini LED、白光器件等产品,在不改变总投资额及实际盈利目标的前提下,视市场变化可能对封装产品在器件类别及其相关组件与应用产品等公司主营产品范围内做适当调整。

国星光电表示,公司本次投资扩产,一方面基于公司整体战略发展需要。公司在 LED 显尤其是在小间距 LED 显示的细分领域处于领先地位,同时在白光LED及家电显示模块应用市场优势明显,公司定位全面领先的国际化LED企业,必须持续不断的投入以维持和巩固自身的品牌、地位、规模、技术。另一方面公司于2018年6月中美两地同步全球发布Mini LED新一代器件产品,公司在细分领域有基础、有品牌、有技术储备,急需在规模与新产品扩产步伐上勇立潮头;同时投资扩产也符合公司为客户提供更好服务的实际需要。公司拥有长期积淀的品牌 和品质优势,目前部分产品市场订单饱满、产品供不应求,为巩固体量规模的核心地位,迫切需要在生产规模化方面进一步提升缓解供需矛盾。
 

 

如需转载,需本网站E-Mail授权。并注明"来源于LEDinside",未经授权转载、断章转载等行为,本网站将追究法律责任!E-Mail:service@ledinside.com

如需获取更多资讯,请关注LEDinside官网(www.ledinside.cn)或搜索微信公众账号(LEDinside)。

<!--[if gte mso 9]><xml><o:DocumentProperties>1111</xml><![endif]--><!--[if gte mso 9]><xml><o:OfficeDocumentSettings></xml><![endif]--><!--[if gte mso 9]><xml><w:WordDocument>MicrosoftInternetExplorer402DocumentNotSpecified7.8 磅Normal0</xml><![endif]--><!--[if gte mso 9]><xml><w:LatentStyles DefLockedState="false" DefUnhideWhenUsed="true" DefSemiHidden="true" DefQFormat="false" DefPriority="99" LatentStyleCount="260" > </xml><![endif]-->

分享:
相关文章