近日，光通信核心材料磷化铟（InP）接连迎来两则重磅动态：日本化工巨头住友化学宣布4英寸InP外延片正式量产，目标2030年代中期实现100亿日元销售规模；中国环保上市公司武汉天源则以750万元收购中讯半导体60%股权，跨界切入InP衬底赛道，并计划追加6700万元配套投入。

 

住友化学宣布4英寸InP外延片量产，目标100亿日元销售规模

8月31日，日本住友化学宣布，已在茨城县日立市的茨城工厂（Ibaraki Works）建立4英寸磷化铟（InP）外延片的量产体系，并正式启动销售。住友化学表示，作为日本少数能够稳定量产InP外延片的外延代工厂，公司此次扩产目的是为了跟进AI数据中心"光电融合"的技术发展趋势。

 

 

图片来源：住友化学

 

据悉，住友化学在砷化镓（GaAs）外延片和氮化镓（GaN）外延片领域拥有超过25年的量产经验，此次将自主开发的组分控制、薄膜堆叠和晶体生长工艺控制技术迁移至InP外延片生产，实现了高均匀性晶体结构、量产再现性和均匀膜厚三大核心指标。

 

公司计划将InP外延片加入现有化合物半导体材料阵容（GaN基板、GaN外延片、GaAs外延片），目标到2030年代中期实现约100亿日元（约合人民币5亿元）的销售额。

 

武汉天源750万收购中讯半导体60%股权，切入InP衬底赛道

国内方面，8月底，武汉天源环保股份有限公司披露2026年半年度报告，同时宣布已完成对中讯半导体（江苏）有限公司60%股权的收购，正式切入磷化铟衬底材料赛道。

 

收购对价750万元，并计划配套投入6700万元用于后续规模产线的设备购置、场地建设及流动资金补充，两项合计约7450万元。

 

中讯半导体主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售。公司拥有有效专利29项，已具备2至4英寸单晶磷化铟衬底的试制技术条件，单晶生长环节良率约30%。目前正分阶段推进4英寸产品量产爬坡与6英寸衬底技术研发，已向多家头部半导体客户完成送样并获得参数确认。截至2026年上半年，中讯半导体尚未产生营业收入。

 

而武汉天源成立于2009年，以垃圾填埋场渗滤液治理为核心业务。去年5月，公司由"天源环保"更名为"天源集团"，确立"环保+绿色能源"双主业发展格局，并向AI基础设施与数智化应用持续延伸，目前已取得算力中心建设订单1.5亿元，布局算电协同、SST供电系统与算力集成舱等装备。（来源：集邦光通信整理）

 

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