近日，美国半导体企业Ingantec Corporation宣布，在红光氮化铟镓（InGaN）Micro LED技术上取得关键突破，公司基于常规c面外延结构制备的5微米级红光InGaN Micro LED，峰值外量子效率（EQE）超过20%，发光波长约625nm。

 

 

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长期以来，红光InGaN器件的效率与波长稳定性难以兼顾。根源在于为获得红光，需大幅提高外延层中的铟含量，而高铟会引入晶格应变与缺陷，进而诱发载流子局域化和量子限制斯塔克效应（QCSE），最终导致效率衰减和明显的电流漂移。

 

对此，Ingantec依托其专有的"光谱稳定红"（SSR）技术，并与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）合作开发外延与应变工程方法，使器件在4~5 A/cm2电流密度下达到峰值效率，且该电流密度恰好对应其最红发光状态；在40~140 A/cm2的高电流区间，效率仍能维持在5%~8%，可满足高亮度显示需求。

 

尤为难得的是其波长稳定性，随着驱动电流增大，器件发光波长先略微向长波方向移动（红移），在峰值效率处达到最红发光状态。此后，即便电流继续攀升至百倍量级，波长也仅向短波方向缓慢回移（蓝移），整体光谱漂移幅度小且可控，显色一致性远优于常规红光InGaN器件。

 

与量子点、纳米线、纳米锥或光子晶体路线不同，Ingantec采用常规平面InGaN架构，为晶圆级量产及与蓝、绿光InGaN器件的单片集成提供了可行路径。高性能原生红光InGaN若成熟落地，可摆脱异质红光外延及巨量转移环节的复杂工艺，减轻显示驱动CMOS的色偏补偿负担，对单片全彩RGB Micro LED微显示意义重大。

 

面向AR/MR显示、车载HUD、移动设备、高亮微显示及医疗诊断等场景，目前Ingantec已实现4英寸蓝宝石衬底InGaN外延片上数亿颗红光发光单元的制备，并向显示厂商、代工厂、背板开发商及先进封装伙伴开放合作。

 

Ingantec成立于2022年，由前苹果、富士康高管与威斯康星大学麦迪逊分校学者联合创立，专注III族氮化物材料与器件技术。Ingantec目标是单片全彩RGB Micro LED技术，绕过低良率、高成本的巨量转移工序。（LEDinside整理）

 

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