璦司柏发表薄膜氮化铝(AlN)陶瓷基板
2009-12-2513:43:33[编辑: ]

台厂璦司柏电子日前表示,该公司利用黄光微影与电镀/化学镀沉积工艺开发,并于400℃以下的低温工艺备制线路设计与加工,解决了现有氮化铝基板厚膜工艺,在信赖性不足与附着性不佳等方面的问题。

至于在材料优势方面,这种基板的热传导係数为170~230W/m.K,厚度薄且尺寸小,能够抗腐蚀。材料本身不包含有害物质,具备稳定的物理特性。

璦司柏指出,AlN陶瓷基板应用范围包括LED基板、LED散热基板、HCPV散热基板、LED Sub-mount 材料、LED封装用散热板等环境使用。

薄膜氮化铝(AlN)陶瓷基板 (1)

薄膜氮化铝陶瓷基板的优势:

无须高温烧结,无氧化物生成,金属线路附着性佳
表面平整度高<0.3μm。
线路精准度高,误差值低于+/- 1%
对位置精准度高
低温工艺,降低高温对材料的破坏
信赖性特性佳
镀层材料稳定度高

薄膜氮化铝(AlN)陶瓷基板 (2)

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