SSL China 2016: 宽禁带半导体推升高压高速市场需求-LED在线

第十三届中国国际半导体照明论坛 (SSL China) 暨第三代半导体国际会议 (IFWS) 于2016年11月15-18日于北京国际会议中心举行，贯彻中国十三五国家科技创新规划，支撑落实战略性先进电子材料重点专项。LEDinside 有此荣幸受邀参加会议，纪录众产业专家发表之重点趋势，节集未来五年产业关键将更着重在跨产业应用，包含Micro LED、雷射照明、VCSEL 雷射、LiFi与可见光通讯、智能照明与健康照明。同时受惠于中国对于半导体政策补助，加上高电流、高压、高速市场需求，如基地台、高铁、电动车充电站等等，宽禁带半导体产业发展，包含氮化镓与碳化硅功率组件更受瞩目。同时，因应市场需求，Aixtron 与 VEECO 相继推出适合功率组件设备机台，强调能提升更好的良率与生产力，降低成本，单一反应炉 (Single Wafer Reactor)能提高晶圆质量的一致性。

[氮化镓功率组件]

相对于使用Si MOSFET 或是 Si IGBT，氮化镓功率组件拥有更高的功率密度、更好的能源效率、高信赖性、高速，相当适合快速开关、散热、与PCB 电路设计 (Layout)，提供小体积的产品设计，如AC-DC 电源供应应用于消费者产品、信息中心(Data Center)。

未来再发展氮化镓功率组件产品上，封装与模块设计上除了更需符合市场需求，同时也需达到市场化生产的可能。2016-2017 年主要市场需求则在AC-DC 电源供应应用于消费者产品、信息中心(Data Center)、工业企业市场、太阳能逆变器、车用市场应用等。

[碳化硅功率组件]

氮化镓功率组件将可达到900V 的表现能力；而碳化硅功率组件的产品将更可提升到更高压的市场。目前国际厂商的产品以可达到1200V 以上，更适合应用于高速、高压、高温应用市场，包含高铁、基地台、自动化厂房市场应用等。

SiC MOSFET 拥有更好的低传导损耗 (Lower Conduction Loss) 与低开关损耗 (Lower Switching Loss)。在功率组件模块设计上考虑，除了可靠度外，降低杂散电感电容 (Stray Inductance and Capacitor)是相当重要的，并且产品设计涵盖栅级驱动 (Gate Drive Circuit) 保护电流 (Protection Circuit)。同时，推出更适用的封装将帮助产品应用于市场。若能有相关云端监测系统帮助工作寿命与可靠度的提升，也是相当符合市场需求。美国与日本国际厂商尽如碳化硅功率组件较早，产品也有明显的大幅发展，然而韩国也建立的相当完整的供应链，期待未来市场发展迅速。

文 Joanne 吴盈洁 / LEDinside