22日，由剑桥大桥分拆出来的Micro LED微显示技术企业Porotech宣布获得了2000万美元（约合人民币1.27亿元）的A轮融资，资金拟用于加速推动Porotech的全球扩张计划及InGaN基Micro LED产品的大规模生产。

据悉，本轮融资由阿米巴资本（Ameba Capital）领投，三星风投（Samsung Venture）、弘晖基金（HLC/Highlight Capital）及个人投资者等多方跟投，其中，老股东Speedinvest也继续加注跟投。

成功融资的背后，或许就是Porotech极具应用潜力的专有技术。有别于透镜光学合成法和RGB堆叠式方案，Porotech基于其多孔GaN半导体材料技术——PoroGaN，在单一的InGaN材料体系中实现单色和全彩Micro LED显示器，满足高亮度背景下高质量图像投影对显示器亮度、效率和分辨率等参数的要求，即便是在日光下的户外环境也能够有出色的显示效果，而这一点正是下一代AR/VR等设备对显示器的要求。

Porotech表示，Micro LED显示器在新一代电视、可穿戴设备和智能手机等将起到举足轻重的作用，而GaN材料技术则被普遍视作唯一能够提供高亮度、高效率显示以满足AR/VR/MR等在内的XR扩展现实需求的材料。

图片来源：Porotech

目前，由于不同材料体系的混合，Micro LED全彩化制程复杂程度大，制备难度高，导致终端产品价格高企，令大众消费市场望而却步。针对这个问题，Porotech专注于研究多孔GaN半导体材料技术，基于同一材料体系的方案可消除因合成基于不同材料结构的器件而产生的复杂性问题，进而推动Micro LED显示器的量产。

2021年10月，Porotech宣布成功开发全球首款0.55英寸InGaN基红光Micro LED显示器，分辨率为960 x 540。在降本的同时，该显示器最大限度地将可实现的波长提升至640nm或更高，改善了产品的性能。据称，这在微显示器可视化领域是首次。

Porotech透露，首款InGaN基红光Micro LED显示产品已开始生产，并向全球显示技术领域的部分知名企业供货。

凭借新型多孔GaN半导体材料技术以及基于这项技术所获得的成果，Porotech俨然已经发展成为了GaN等第三代半导体和Micro LED等新型显示领域的“新秀”力量，当下正处于AR/VR/XR等智能设备领域的聚光灯之下，备受投资者的青睐。在本次融资之前，Porotech还于2021年7月获得了300万英镑的风险投资，融资表现可见一斑。

在更多投资者的支持下，Porotech的技术研发进度以及业务扩张计划都将提速，助力其提升在相关市场的知名度，也将推动Micro LED的全彩化、效率等产业难题攻关。与此同时，Porotech正携手JBD开发AR等智能设备用的Micro LED显示器，双方旨在通过强项技术互补，共同推动Micro LED显示器在AR/VR等领域的商用化。（文：LEDinside Janice）

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