9月30日，三安光电公众号消息，三安光电联合清华大学、厦门大学组成的产学研团队宣布，经过两年协同攻关，在堆叠式全彩Micro LED前沿预研上取得关键进展，完成了从底层原理到核心工艺的系统性验证。

 

与红绿蓝像素横向排布的传统方案不同，垂直堆叠架构将不同颜色的LED外延结构逐层纵向集成，摆脱横向空间对像素尺寸的束缚，可大幅缩小像素间距、提升集成密度，被视为突破尺寸受限、色度不均与光效瓶颈的重要路径，也是全球Micro LED前沿预研的核心方向之一。

 

据披露，此次合作中三安光电发挥在MOCVD设备工艺与应力调控方面的积累，高校团队侧重基础科学研究，双方已在4英寸晶圆上完成堆叠架构工艺的底层验证与可行性论证。

 

制程管控方面，三色半峰宽显著收窄：红光降至42nm、绿光低至27nm、蓝光达17nm，意味着数百万颗微米级像素的色偏得以有效控制，为实现95%以上BT.2020广色域覆盖目标打下基础。

 

 

图片来源：拍信网正版图库

 

更值得关注的是光效表现。团队基于半导体物理与光学原理创新设计了新型隧道结结构，同步优化载流子注入效率与光子传输损耗，器件光提取效率明显提升。经国家权威检测机构验证，蓝光外量子效率（EQE）达32%，已对齐行业先进量产水准；绿光EQE为20%；红光EQE则突破3%，从原理层面进一步解决堆叠架构红光低效的瓶颈。低功耗、高光效的特性组合，也让该架构在AR/VR近眼显示、高端超高清等场景的适配潜力得到验证。

 

从4英寸晶圆的纳米级外延调控，到微米级像素稳定点亮，该团队历经两年时间便走完了海外知名实验室约五年的技术历程。

 

作为国内化合物半导体龙头，三安光电主营业务覆盖LED外延芯片、射频、滤波器、电力电子及光通信芯片等。

 

公司在Micro LED领域的产业化根基主要由湖北三安承载——该基地总投资120亿元，现已形成每月15万片芯片与1000KK特种封装产能，巨量转移良率达99.99%、精度±1μm，量产芯片可实现5000PPI以上像素密度，6英寸Micro LED芯片产能正由每月2000片扩至3000片。

 

Micro LED商业化层面，三安光电的Micro直显产品持续向国内外头部客户供货，Micro-MiP商用大屏市占率稳步提升；车用Micro ADB前大灯芯片已与头部企业启动战略合作；面向PHUD、智能手表及2.5μm间距AR显示等消费级应用的产品研发持续推进；在Micro LED光互联方向也与多家客户展开验证合作。

 

此次堆叠全彩Micro LED的技术验证，是三安光电在并排列化、巨量转移之外的又一条前瞻技术储备路径。短期业绩承压不改其高端化主线，随着AR/VR与超高清场景逐步放量，底层架构层面的布局有望为其在下一代显示竞争中争取更多主动权。（来源：三安光电、LEDinside整理）

 

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